场效应管原理(浅谈场效应管原理)

场效应管，全称电场效应晶体管，又称为FET管，常用于放大电路和开关电路。它是利用沟道电阻调制电场，并用电场控制电流的一种半导体器件。场效应管的核心部分是具有控制电极、漏极和源极三个引脚的半导体片，这三个引脚构成一个能控制沟道电流的电场。

场效应管作为半导体器件，其原理比较复杂，但可以从以下几个方面深入了解其原理：

1、学习电场基础知识

在学习场效应管之前，需要先掌握电场线、电场强度以及电势等基础知识。这些知识是理解场效应管原理的前提。

2、场效应管的结构

场效应管包括控制电极、漏极和源极三个引脚。其中，源极引脚与n区连接，漏极引脚与p区连接，控制电极上有一个薄柿子，可以改变管子内的电场。

3、沟道电荷、沟道电阻和漏极电流之间的关系

沟道电阻和沟道电流之间的关系可以用欧姆定律表示。在场效应管中，沟道电阻的大小能够影响漏极电流的大小。

4、理解漏极电流调制过程

通过控制电场的强度，可以调制场效应管的漏极电流。当控制电极上的电压发生变化时，控制电极与漏极之间的电场强度也会发生变化，从而改变沟道电阻的大小，从而影响漏极电流的大小。